Dysk SSD Samsung 990 EVO 2TB M.2 2280 PCI-E x4 Gen4 NVMe (MZ-V9E2T0BW)

Dysk SSD Samsung 990 EVO 2TB M. 2 2280 PCI-E x4 Gen4 NVMeSAMSUNG ➡️ Elektronika/Komputery/Dyski i pamięci przenośne/Dyski SSD ✔️ Dopuszczalna wilgotność względna: 5 - 95% EAN: 8806095300269 Głębokość produktu: 22,1 mm Interfejs:

PCI Express 4. 0 Kod Producenta: MZ-V9E2T0BW MTBF (Średni okres międzyawaryjny): 1500000 h Napięcie pracy: 3,3 V NVMe:

Tak NVMe wersja: 2. 0 Obsługa S. M. A. R. T. : Tak Pobór mocy (bezczynny): 0,06 W Pobór mocy (odczyt): 5,5 W Pobór mocy (zapis):

4,7 W Pojemność pamięci SSD: 2 TB Prędkość odczytu z nośnika: 5000 MB/s Prędkość zapisu nośnika: 4200 MB/s Przeznaczenie: Uniwersalne Rewizja PCI Express CEM:

4. 0 Rodzaj opakowania: Pudełko Rozmiar dysku SSD M. 2: 2280 (22 x 80 mm) Szerokość produktu: 80,2 mm Szyfrowanie / bezpieczeństwo: 256-bit AES Szyfrowanie sprzętu:

Tak Typ dysku SSD: M. 2 Typ pamięci: V-NAND TLC Waga produktu: 9 g Wibracje podczas przechowywania: 20 G Wsparcie TRIM:

Tak Współczynnik TBW: 1200 Wstrząsy podczas przechowywania: 1500 G Wysokość produktu: 2,38 mm Zakres temperatur (eks-oatacja): 0 - 70 °C Zakres temperatur (przechowywanie):

-40 - 85 °C Zakres wilgotności względnej: 5 - 95% Zużycie energii (tryb uśpienia): 0,005 W Łącze PCI Express: x4 ➡️Produkt fabrycznie nowy. ✔️ Interfejs:

PCI Express 4. 0Rodzaj opakowania: PudełkoTyp pamięci: V-NAND TLCEAN: 8806095300269Kod Producenta:

MZ-V9E2T0BWWaga produktu: 9 gPrzeznaczenie: UniwersalneNapięcie pracy: 3,3 VZużycie energii (tryb uśpienia): 0,005 WSzerokość produktu:

80,2 mmWysokość produktu: 2,38 mmDopuszczalna wilgotność względna: 5 - 95%Głębokość produktu: 22,1 mmZakres temperatur (eksploatacja): 0 - 70 °CZakres wilgotności względnej:

5 - 95%Zakres temperatur (przechowywanie): -40 - 85 °CMTBF (Średni okres międzyawaryjny): 1500000 hSzyfrowanie / bezpieczeństwo: 256-bit AESPobór mocy (bezczynny): 0,06 WWibracje podczas przechowywania:

20 GWstrząsy podczas przechowywania: 1500 GPobór mocy (odczyt): 5,5 WPobór mocy (zapis): 4,7 WNVMe: TakPojemność pamięci SSD: 2 TBPrędkość odczytu z nośnika:

5000 MB/sPrędkość zapisu nośnika: 4200 MB/sSzyfrowanie sprzętu: TakWspółczynnik TBW: 1200NVMe wersja: 2. 0Łącze PCI Express:

x4Wsparcie TRIM: TakObsługa S. M. A. R. T. : TakRewizja PCI Express CEM: 4. 0Typ dysku SSD: M. 2Rozmiar dysku SSD M.

2: 2280 (22 x 80 mm)Informacja o gwarancji 1: Dodatkowe informacje. Dysk SSD Samsung 990 EVO 2TB M. 2 2280 PCI-E x4 Gen4 NVMe SAMSUNG Numer: 8806095300269, ACT-DIASA1SSD0083.

Ilośc dzni do wysyłki: 3. Waga: 0. 08 kg. ➡️ Dysk SSD Samsung 990 EVO 2TB M. 2 2280 PCI-E x4 Gen4 NVMe to synonim najwyższej jakości i niezawodności, stworzony z myślą o wymagających użytkownikach. ➡️ Nowoczesne rozwiązania i precyzja wykonania sprawiają, że produkt wyróżnia się na tle konkurencji. ➡️ Każdy detal został starannie zaprojektowany, by zapewnić maksymalną wygodę i trwałość.

➡️ Wybierając Dysk SSD Samsung 990 EVO 2TB M. 2 2280 PCI-E x4 Gen4 NVMe, stawiasz na sprawdzone rozwiązanie, które sprosta Twoim oczekiwaniom 990 EVOWydajnośćZwiększ prędkość sekwencyjnego odczytu do 5000 MB/s, osiągając 43% prędkości w porównaniu z poprzednim modelem. Fraza "70% ulepszony" jest zapisana wewnątrz zachodzących na siebie linii, które rysują okrąg. Efektywność energetycznaWydajność energetyczna poprawiona o 70% w porównaniu z poprzednim modelem, wspierająca nowoczesny tryb czuwania i dłuższą żywotność baterii. Słowa "Play, Work, Create" są napisane na myszy do gier, wykresie kołowym i tablecie.

WszechstronnośćZwiększ codzienną wydajność w grach, biznesie i kreatywnej pracy dzięki obsłudze PCIe® 4. 0 x4 i PCIe® 5. 0 x2. Szybkość, która wyprzedza konkurencję990 EVO oferuje ulepszone prędkości sekwencyjnego odczytu/zapisu do 5000/4200 MB/s i losowego odczytu/zapisu do 700K/800K IOPS, osiągając 43% szybszy odczyt/zapis niż 2TB 970 EVO Plus. Krótsze oczekiwanie na gry i szybki dostęp do dużych plików. Rozwinięta wydajność energetycznaSkręć w prawo i jedź dalej.

Dzięki niezwykłej poprawie efektywności energetycznej o 70% w porównaniu z poprzednim modelem, możesz obliczać dłużej, nie martwiąc się o żywotność baterii. Ponadto obsługuje tryb Modern Standby, pozwalając pozostać w kontakcie z Internetem i nadal otrzymywać powiadomienia nawet w stanie niskiego poboru mocy. Inteligentne rozwiązanie termiczneEtykieta radiatora 990 EVO wspomaga zarządzanie termiczne chipem NAND. Najnowocześniejszy algorytm kontroli termicznej Samsunga, wraz z Dynamic Thermal Guard, zapewnia stałą i niezawodną wydajność. To wydajność jest gorąca, a nie dysk.

Oprogramowanie Samsung WizardSpraw, aby Twój dysk SSD działał jak magia. Narzędzia do optymalizacji oprogramowania Samsung Magician zapewniają najlepszą wydajność dysku SSD. To łatwy i bezpieczny sposób na migrację wszystkich danych w celu uaktualnienia dysku SSD Samsung. Chroni cenne dane, monitoruje stan dysku i pobiera najnowsze aktualizacje oprogramowania układowego. Wprowadzanie innowacji w życieOd dziesięcioleci pamięć flash NAND firmy Samsung napędza innowacyjne technologie, które zmieniły każdy aspekt naszego codziennego życia.

Ta technologia NAND flash napędza również nasze konsumenckie dyski SSD, pozostawiając miejsce na kolejny duży impuls innowacji. SpecyfikacjaFormatM. 2Pojemność2 TBPrędkość odczytu sekwencyjnegoDo 5000 MB/sPrędkość zapisu sekwencyjnegoDo 4200 MB/sINTERFEJSPCIe® 4. 0 x4 / 5. 0 x2 NVMe™ 2. 0WYMIARY (szer. x wys. x gł.)80x22x2,38 mmWAGAMaksymalna waga 9,0 gPAMIĘĆSamsung V-NAND TLCKONTROLERWewnętrzny kontroler SamsungPAMIĘĆ PODRĘCZNAHMB (bufor pamięci hosta)Funkcja specjalnaOBSŁUGA PRZYCINANIAObsługiwaneOBSŁUGA SMARTObsługiwaneGCAlgorytm automatycznego zbierania śmieciOBSŁUGA SZYFROWANIA256-bitowe szyfrowanie AES (klasa 0) TCG/Opal IEEE1667 (dysk szyfrowany)OBSŁUGA WWNNieobsługiwaneOBSŁUGA TRYBU UŚPIENIA URZĄDZENIATakWydajność 2)ODCZYT SEKWENCYJNY2 TB:

do 5000 MB/sZAPIS SEKWENCYJNY2 TB: do 4200 MB/sLOSOWY ODCZYT (4KB, QD32)2 TB: do 700 000 IOPSZAPIS LOSOWY (4KB, QD32)2 TB: do 800 000 IOPSLOSOWY ODCZYT (4KB, QD1)2 TB: do 20 000 IOPS ZAPIS LOSOWY (4KB, QD1)2 TB:

do 90 000 IOPS ŚREDNIE ZUŻYCIE ENERGII (POZIOM SYSTEMU) 3)2 TB: Średni: odczyt 5,5 W/zapis 4,7 W POBÓR MOCY (BEZCZYNNOŚĆ) 3)2 TB: Typowe 60 mW POBÓR MOCY (URZĄDZENIE BEZCZYNNE)2 TB: typowo 5 mW DOPUSZCZALNE NAPIĘCIE3,3 V ± 5 % Dopuszczalne napięcieNIEZAWODNOŚĆ (MTBF)1,5 miliona godzin niezawodności (MTBF)TEMPERATURA PRACY0 - 70 ℃ temperatura pracyWSTRZĄSY1. 500 G i 0,5 ms (pół sinusa)ZESTAW INSTALACYJNYNieOprogramowanieOPROGRAMOWANIE DO ZARZĄDZANIAOprogramowanie Magician do zarządzania dyskami SSD Rozmiar kieszeni dysku SSDM.

2Pojemność pamięci SSD2 TBStandardowe rozwiązania komunikacyjnePCI Express 4. 0Typ pamięciV-NAND TLCNVMeTakPrzeznaczenieUniwersalneSzyfrowanie sprzętuTakNVMe wersja2. 0Szyfrowanie / bezpieczeństwo256-bit AESPrędkość odczytu z nośnika5000 MB/sPrędkość zapisu nośnika4200 MB/sŁącze PCI Expressx4Rozmiar dysku SSD M. 22280 (22 x 80 mm)Rewizja PCI Express CEM4. 0Obsługa S.

M. A. R. T. TakWsparcie TRIMTakMTBF (Średni okres międzyawaryjny)1500000 hWspółczynnik TBW1200Napięcie pracy3,3 VPobór mocy (odczyt)5,5 WPobór mocy (zapis)4,7 WZużycie energii (tryb uśpienia)0,005 WPobór mocy (bezczynny)0,06 WZakres temperatur (eksploatacja)0 - 70 °CZakres temperatur (przechowywanie)-40 - 85 °CZakres wilgotności względnej5 - 95%Dopuszczalna wilgotność względna5 - 95%Wibracje podczas przechowywania20 GWstrząsy podczas przechowywania1500 G5 lat(a)Szerokość produktu80,2 mmGłębokość produktu22,1 mmWysokość produktu2,38 mmWaga produktu9 gRodzaj opakowaniaPudełko Cechy Interfejs : PCI Express 4 0 Obsługiwane algorytmy zabezpieczeń : 256-bitowy AES Średni czas między awariami (MTBF) : 1500000 h Typ pamięci : V-NAND TLC Prędkość odczytu :

5000 MB/s Prędkość zapisu : 4200 MB/s Pojemność dysku SSD : 2 TB S. Obsługa M. A. R. T. : Tak Obsługa TRIM : Tak Komponent : Uniwersalne szyfrowanie sprzętowe :

Tak Interfejs PCI Express Tory danych : x4 Współczynnik TBW : 1200 Format dysku SSD : M 2 NVMe : Tak Wersja NVMe : 2 0 PCI Express CEM Revision :

4 0 M. 2 Rozmiar dysku SSD : 2280 (22 x 80 mm)Moc Pobór mocy (tryb uśpienia) : 0,005 W Napięcie robocze : 3,3 V Pobór mocy (bezczynność) : 0,06 W Pobór mocy (odczyt) :

5,5 W Pobór mocy (zapis) : 4,7 WWarunkipracy Wilgotność względna podczas pracy : 5 - 95% Zakres temperatur podczas przechowywania : -40 - 85 °C Temperatura pracy : 0 - 70 °C Wilgotność podczas przechowywania :

5 - 95% Odporność na wstrząsy podczas pracy : Szczegóły techniczne Cechy Typ pamięci: V-NAND TLCSzyfrowanie sprzętowe: TakNVMe: TakAlgorytmy bezpieczeństwa: 256-bitowy AESKomponent dla:

UniwersalnyŚredni czas między awariami (MTBF): 1500000 hPojemność dysku SSD: 2 TBInterfejs PCI Data Lanes Express: x4Obsługa SMART: TakFormat dysku SSD:

M. 2PCI Express CEM w wersji: 4. 0Prędkość zapisu: 4200 MB/sPrędkość odczytu: 5000 MB/sInterfejs: PCI Express 4.

0Wersja NVMe: 2. 0Rozmiar dysku SSD M. 2: 2280 (22 x 80 mm)Współczynnik TBW: 1200Obsługa TRIM: Tak Wydajność Pobór mocy (odczyt):

5,5 WPobór mocy (zapis): 4,7 WNapięcie robocze: 3,3 VPobór mocy (uśpienie): 0,005 WPobór mocy (bezczynność): 0,06 W Warunki pracy Wilgotność względna podczas pracy (HH):

5 - 95%Temperatura pracy (TT): 0 - 70 °CWilgotność względna podczas przechowywania (HH): 5 - 95%Temperatura przechowywania (TT): -40 - 85 °CWibracje podczas pracy: 20 GWstrząsy podczas pracy:

1500 G Waga i wymiary Wysokość: 2,38 mmSzerokość: 80,2 mmWaga: 9 g Głębokość: 22,1 mm Szczegóły opakowania Rodzaj opakowania:

Pudełko OgólneTyp urządzeniaDysk półprzewodnikowy - wewnętrznyPojemność2 TBSzyfrowanie sprzętoweTakAlgorytm szyfrowania256-bitowy AESTyp pamięci flash NANDTLC (Triple-Level Cell)Współczynnik kształtuM. 2 2280Typ interfejsuPCIe 5. 0 x2 (NVMe)FunkcjeObsługa TRIM, algorytm automatycznego zbierania śmieci, obsługa uśpienia urządzenia, technologia Samsung V-NAND TLC, 2 GB pamięci podręcznej LPDDR4 DRAM, dynamiczna ochrona termiczna, S. M. A. R. T. Szerokość22 mmGłębokośćgłębokość 80 mmWysokość2. 38 mmWaga9 gWydajnośćWewnętrzna przepustowość danych5000 MBps (odczyt)/ 4200 MBps (zapis)odczyt losowy 4 KB22000 IOPS4 KB losowego zapisu90000 IOPSMaksymalny losowy zapis 4 KB800000 IOPSMaksymalnie 4 KB losowego odczytu700000 IOPSRozbudowa i łącznośćKompatybilna zatokaM.

2 2280ZasilaniePobór mocy5. 4 W (odczyt) 4,7 W (zapis)Oprogramowanie i wymagania systemoweDołączone oprogramowanieOprogramowanie Samsung MagicianRóżneEtykietowanieIEEE 1667Szczegóły opakowaniaPudełkoSerwis i wsparcieWarunki środowiskoweMinimalna temperatura pracy0 °CMaks. Maks. temperatura pracy70 °CTolerancja na wstrząsy (nie podczas pracy)1500 g @ 0,5 ms Samsung 990 EVO 2 TB Wydajny i niezawodny wewnętrzny dysk SSD o pojemności 2 TB. Dzięki wydajnemu kontrolerowi i technologii inteligentnego zapisu Turbo Write, poradzi sobie nawet z wymagającymi zadaniami graficznymi. Dzięki interfejsom PCIe 4.

0 x4 i PCIe 5. 0 x2 dysk oferuje prędkości transferu do 4200 MB/s zapisu i do 5000 MB/s odczytu. Rezultatem jest znacznie szybsze ładowanie aplikacji, gier oraz przenoszenie i tworzenie kopii zapasowych dużych ilości danych. PODSTAWOWA SPECYFIKACJA P ojemność: 2 TB Formatdysku:

M. 2 (2280) Interfejs: M. 2 (NVMe 2.0, PCIe 4.0 x4/ PCIe 5.0 x2) Prędkośćodczytu: 5000 MB/s Prędkośćzapisu: 4200 MB/s Samsung 990 EVO 2 TB SSD - wewnętrzny dysk twardySamsung 990 EVO NVMe M. 2 SSD oferuje zwiększone prędkości sekwencyjnego odczytu/zapisu do 5000/4200 MB/s i losowego odczytu/zapisu do 700 000/800 000 IOPS.

Dzięki obsłudze najnowszych interfejsów PCIe 4. 0 x4 i PCIe 5. 0 x2, oferuje elastyczność dla obecnych i przyszłych zadań. Komponent dla: UniwersalnyCechyWersja NVMe2.

0Obsługiwane algorytmy zabezpieczeń256-bitowy AESRozmiar dysku SSDM. 2Pojemność dysku SSD2 TBInterfejsPCI Express 4. 0Typ pamięciV-NAND TLCNVMeTakKomponent dlaUniwersalnyszyfrowania sprzętowegoTakPrędkość odczytu5000 MB/sPrędkość zapisu4200 MB/sLinie danych interfejsu PCI Expressx4Wymiary M. 2 SSD2280 (22 x 80 mm)Wersja PCI Express CEM4. 0Obsługa S.

M. A. R. T. TakObsługa TRIMTakŚredni czas między awariami (MTBF)1500000 hKlasyfikacja TBW1200Zarządzanie energiąNapięcie robocze3 Dostępne pojemności: 1 TB i 2 TB⁴Wysokowydajny dysk SSD NVMe™ w formacie M. 2 (2280)Nowoczesna technologia pamięci masowej V-NANDPrędkość sekwencyjnego odczytu i zapisu do 5000/4200 MB/s¹, ²Energooszczędność: wydajność zwiększona o 70% na wat w porównaniu do 970 EVO Plus³Inteligentne zarządzanie temperaturą dla niezmiennie wysokiej wydajności Specyfikacja produktu: Pojemność: 2 TBRozmiar:

M. 2Interfejs: PCI Express 4. 0Nr producenta: MZ-V9E2T0BW Samsung 990 EVO. Pojemność dysku SSD:

2 TB CechyKomponent dlaUniwersalnyPrędkość zapisu4200 MB/sSzyfrowanie sprzętoweTakNVMeTakWersja PCI Express CEM4. 0Klasyfikacja TBW (zapisanych terabajtów)1200Średni czas między awariami (MTBF)1500000 hObsługa TRIMTakTyp pamięciV-NAND TLCObsługa technologii SMARTTakWersja NVMe2. 0Liczba linii interfejsu PCI Expressx4Format dysku SSDM. 2Prędkość odczytu5000 MB/sPojemność dysku SSD2 TBInterfejsPCI Express 4. 0Szyfrowanie/bezpieczeństwo256-bitowe AESRozmiar dysku SSD M.

22280 (22 x 80 mm)Pobór mocyPobór mocy (tryb uśpienia)0,005 WPobór mocy (odczyt)5,5 WPobór mocy (zapis)4,7 WPobór mocy (w spoczynku)0,06 WNapięcie robocze3,3 VWaga i wymiaryWysokość2,38 mmWaga9 gSzerokość80,2 mmGłębokość22,1 mmDane opakowaniaTyp opakowaniaPudełkoInne właściwości5 latWarunki pracyWibracje podczas pracy20 GZakres temperatur pracy (T-T)0 - 70 °CZalecana robocza wilgotność względna5 - 95%Zakres temperatur przechowywania (T-T)-40 - 85 °CZakres wilgotności względnej przechowywania (H-H)5 - 95%Wstrząsy po wyłączeniu z eksploatacji1500 G 7 WPobór mocy (zawieszony)0 005 WPobór mocy (bezczynność)0 06 W 2 mmGłębokość22 1 mmWysokość2 38 mmWaga9 gDane opakowaniaRodzaj opakowaniaPudełko 3 VPobór mocy (odczyt)5 5 WPobór mocy (podczas pisania)4 Nasza wszechstronna wydajność Niezależnie od tego, czy grasz, pracujesz, czy jesteś kreatywny: Z 990 EVO jesteś gotowy na wszystko. Inteligentne zarządzanie temperaturą Etykieta Heat Spreader w 990 EVO pomaga skutecznie rozpraszać ciepło robocze układu NAND. Ponadto nowoczesny algorytm kontroli termicznej w połączeniu z funkcją Dynamic Thermal Guard zapewnia regulację ciepła i utrzymanie stałej, wysokiej wydajności. Dzięki temu wydajność jest wysoka, ale nie dysk.

Sprawia, że każdego dnia Twój dysk SSD staje się tym jedynym do wielu zadań. 990 EVO napędza gry, pracę i kreatywne projekty każdego dnia. Obsługiwany przez najnowsze interfejsy PCIe® 4. 0 x4 i PCIe® 5. 0 x2, zapewnia elastyczność dla obecnych i przyszłych aplikacji.

Z tym wszechstronnym dyskiem jesteś gotowy na prawie wszystko. Oprogramowanie Samsung Magician Zaawansowane zarządzanie dyskami jak za dotknięciem czarodziejskiej różdżki dzięki oprogramowaniu Samsung Magician. To przyjazne dla użytkownika oprogramowanie pomoże ci mieć oko na dysk SSD przez cały czas. Umożliwia ono aktualizowanie dysku, monitorowanie parametrów stanu i prędkości, a także dostosowywanie wydajności. Zaleca się, aby zawsze aktualizować oprogramowanie sprzętowe dysków SSD Samsung do najnowszej wersji.

Ożywianie nowoczesnych technologii Od dziesięcioleci pamięć flash NAND firmy Samsung jest motorem napędowym nowoczesnych technologii, które zmieniły nasze codzienne życie. Technologia NAND flash napędza nasze dyski SSD i tworzy przestrzeń dla kolejnych innowacji.

Dane techniczne:

• Pojemność dysku SSD:

2 TB - Format dysku SSD: M. 2 - Interfejs: PCI Express 4.

0 - NVMe: Tak - Typ pamięci masowej: V-NAND TLC - Komponent dla: Uniwersalny - Szyfrowanie sprzętowe: Tak - Wersja NVMe: 2. 0 - Obsługiwane algorytmy zabezpieczeń:

256-bitowy AES - Dysk SSD M. 2 - Rozmiar: 2280 (22 x 80 mm) Cechy | Wersja NVMe: 2. 0 | Obsługiwane algorytmy bezpieczeństwa: 256-bitowy AES | Pojemność dysku SSD:

2 TB | Format dysku SSD: M. 2 | Interfejs: PCI Express 4. 0 | Cecha: NVMe | Typ pamięci masowej: V-NAND TLC | Komponent dla:

Uniwersalny | Funkcja: Szyfrowanie sprzętowe | M. 2 SSD- Rozmiar: 2280 (22 x 80 mm) | Prędkość odczytu: 5000 MB/s | Prędkość zapisu:

4200 MB/s | Interfejs PCI Express Data Lanes: x4 | PCI Express CEM Revision: 4. 0 | Funkcja: S. M. A. R. T. Support | Funkcja: TRIM Support | Mean Time Between Failures (MTBF):

1500000 h | TBW Rating: 1200 | Zasilanie | Napięcie robocze: 3,3 V | Pobór mocy (odczyt): 5,5 W | Pobór mocy (zapis): 4. 7 W | Pobór mocy (tryb uśpienia):

0,005 W | Pobór mocy (bezczynność): 0,06 W | Waga i wymiary | Szerokość: 80,2 mm | Głębokość: 22,1 mm | Wysokość: 2. Jeśli jesteś pasjonatem informatyki i elektroniki, lubisz być na bieżąco z technologią i nie umykają Ci nawet najmniejsze szczegóły, kupDysk twardy Samsung MZ-V9E2T0BW 2 TB SSD w bezkonkurencyjnej cenie.

Typ: Wewnętrzny dysk twardy SSD Prędkość: 4200 MB/s 5000 Mb/s Złącza: PCI Express 4. 0 M. 2 Napięcie: 3,3 V Szerokość:

8 cm Przybliżona waga: 9 g Zabezpieczenia: AES 256-bit Dysk twardy: SSD 2 TB Długość: 2,2 cm Kolor:

Czarny Kompatybilność: SSD NVMe PC Zakres temperatur pracy: 0º / 70º Samsung 990 EVO. Pojemność dysku SSD: 2 TB, Format dysku SSD:

M. 2, Prędkość odczytu: 5000 MB/s, Prędkość zapisu: 4200 MB/s, Komponent dla: Uniwersalny Prędkość, która wyprzedza konkurencję. 990 EVO oferuje ulepszone prędkości sekwencyjnego odczytu/zapisu do 5000/4200 MB/s i losowego odczytu/zapisu do 700K/800K IOPS, osiągając do 43% szybsze .

. . Rozmiar dysku SSD: M. 2 Prędkość odczytu: 5000 MB/s Prędkość zapisu: 4200 MB/s Więcej informacji można znaleźć na stronie producenta! Samsung 990 EVO MZ-V9E2T0BW - SSD - szyfrowany - 2 TB - wewnętrzny - M. 2 2280 - PCI Express 5.

0 x4 (NVMe) - 256-bit AES - TCG Opal Encryption 2. 0