Funkcje Interfejs: PCI Express 4 0 Obsługiwane algorytmy zabezpieczeń : 256-bitowy AES Średni czas między awariami (MTBF) : 1500000 h Typ pamięci : V-NAND TLC Prędkość odczytu :
7150 MB/s Prędkość zapisu : 6300 MB/s Pojemność dysku SSD : 1 TB Obsługa funkcji S. M. A. R. T. : Tak Obsługa TRIM : Tak Losowy zapis (4KB) :
1350000 IOPS Odczyt losowy (4KB) : 850000 IOPS Komponent dla : PC Szyfrowanie sprzętowe : Tak Format dysku SSD : M 2 NVMe : Tak Wersja NVMe :
2 0 Rozmiar dysku SSD M. 2 : 2280 (22 x 80 mm) Waga i wymiary Waga : 9 g Wysokość : 22,1 mm Szerokość : 80,2 mm Głębokość :
2,38 mm Warunki pracy Temperatura pracy : 0 - 70 °C OgólneTyp urządzeniaDysk półprzewodnikowy - wewnętrznyPojemność1 TBSzyfrowanie sprzętoweTakAlgorytm szyfrowania256-bitowy AESTyp pamięci flash NANDTLC (Triple-Level Cell)Współczynnik kształtuM. 2 2280Typ interfejsuPCIe 5. 0 x2 (NVMe)CechyInteligentna technologia TurboWrite, technologia Samsung V-NAND TLC, obsługa uśpienia urządzenia, bufor pamięci hosta (HMB), obsługa TRIM, algorytm automatycznego zbierania śmieci, S. M. A. R. T. , IEEE 1667Szerokość22.
15 mmGłębokość80. głębokość 15 mmWysokość2. 38 mmWaga9 gWydajnośćWewnętrzna przepustowość danych7150 MBps (odczyt)/ 6300 MBps (zapis)Maksymalny losowy zapis 4 KB1350000 IOPSMaksymalny losowy odczyt 4 KB85000000 IOPSNiezawodnośćMTBF1. 500 000 godzinRozbudowa i łącznośćKompatybilny panel przełącznikówM. 2 2280ZasilaniePobór mocy4.
3 W (odczyt) 4,2 W (zapis) 60 mW (tryb gotowości) 5 mW (tryb uśpienia)Oprogramowanie i wymagania systemoweDołączone oprogramowanieOprogramowanie Samsung MagicianRóżneMateriał obudowyNiklowanieSerwis i wsparcieWarunki środowiskoweMinimalna temperatura pracy0 °CMaks. Maks. temperatura pracy70 °CTolerancja na wstrząsy (nie podczas pracy)1500 g przy 0,5 msTolerancja na wibracje (nie podczas pracy)20 g @ 20-2000 Hz Cechy Rozmiar M. 2 SSD: 2280 (22 x 80 mm)Obsługa TRIM: TakCzaszapisu (4KB): 1350000 IOPSTyp pamięci:
V-NAND TLCNVMe: szyfrowanie: TakCzasodczytu (4KB): 850000 IOPSS FormatSSD: M. 2Interfejs:
PCI Express 4. 0Obsługa SMART: TakWersjaNVMe: 2. 0Średniczas między awariami (0W00li><030): 050W00li h035 MB/sKomponentdo:
PCBAlgorytmy zabezpieczeń: 256-bitowyAESPrędkość odczytu: 7150 MB/sPojemnośćSSD: 1 TB Warunki pracy Temperatura pracy - 7°TT (We): & wymiary Szerokość:
80,2 mmWysokość: 22,1 mmGłębokość: 2,38 mmWaga: 9 g Specyfikacja produktu: Pojemność: 1 TBRozmiar:
M. 2Interfejs: PCI Express 4. 0Nr producenta: MZ-V9S1T0BW Przyspiesz swój dzień Wykonaj swoje zadania w mgnieniu oka. 990 EVO Plus z najnowszą pamięcią flash NAND oferuje sekwencyjne prędkości odczytu/zapisu do 7 250/6 300 MB/s.
Szybkie przesyłanie dużych plików. Przez cały dzień z chłodną mocą Wysoka wydajność dla wysokiej wydajności. Pokryty niklem kontroler zwiększa MB/s na wat nawet o 73% w porównaniu do 990 EVO i osiąga taką samą wydajność i kontrolę termiczną przy mniejszym zużyciu energii. Skoncentruj się na pracy lub grach, nie martwiąc się o przegrzanie lub żywotność baterii. Dużo miejsca.
Duża prędkość. Wykorzystaj pełną moc swojego dysku dzięki inteligentnemu TurboWrite 2. 0. Szybko przetwarzaj duże ilości danych i obsługuj wymagającą grafikę dzięki dużemu obszarowi TurboWrite. Oprogramowanie Samsung Magician Nowoczesne zarządzanie dyskiem jak za dotknięciem czarodziejskiej różdżki - dzięki oprogramowaniu Samsung Magician. Przyjazne dla użytkownika oprogramowanie pomoże ci mieć oko na dysk SSD przez cały czas.
Umożliwia ono aktualizowanie dysku, monitorowanie parametrów stanu i prędkości, a także dostosowywanie wydajności. Ożywianie nowoczesnych technologii Od dziesięcioleci pamięć flash NAND firmy Samsung jest motorem napędowym nowoczesnych technologii, które zmieniły nasze codzienne życie. Technologia NAND flash napędza nasze dyski SSD i robi miejsce dla kolejnego impulsu nowoczesnej technologii. Szybsze wykonywanie zadań. 990 EVO Plus z najnowszą pamięcią NAND oferuje ulepszone prędkości sekwencyjnego odczytu/zapisu do 7250/6300 MB/s.
Ogromne pliki są przesyłane błyskawicznie. Cechy Świeża moc przez cały okres użytkowania. . . Samsung 990 EVO Plus SSD 1TB M. 2 PCIe Gen4/Gen5 NVMe Wewnętrzny moduł półprzewodnikowy Samsung 990 EVO Plus MZ-V9S1T0 - SSD - szyfrowany - 1 TB - wewnętrzny - M. 2 2280 - PCIe 5.
0 x2 (NVMe) - 256-bit AES - TCG Opal Encryption 2. 0
