SAMSUNG 990 EVO Plus 4TB SSD MZ-V9S4T0BW

Podstawowe funkcje Zastosowanie Pojemność: 4000 GB (1 GB = 1 miliard bajtów na IDEMA) * Rzeczywista pojemność użytkowa może być mniejsza (ze względu na formatowanie, partycjonowanie, system operacyjny, aplikacje itp.) Konstrukcja: M. 2 (2280) Interfejs: PCIe® 4. 0 x4 / 5. 0 x2 NVMe™ 2. 0 Wymiary (szer. x wys. x gł.):

80,15 x 22,15 x 2,38 (mm) Waga: maks. 9,0 g Pamięć masowa: Samsung V-NAND TLC Wewnętrzny kontroler Samsung Pamięć podręczna: HMB (Host Memory Buffer)Funkcje specjalne Obsługa TRIM: Obsługiwane Obsługa funkcji S.

M. A. R. T: Obsługiwana GC (Garbage Collection): Algorytm automatycznego zbierania śmieci Obsługa szyfrowania: 256-bitowy AES (klasa 0) TCG/Opal IEEE1667 (dysk szyfrowany) Obsługa WWN: Nie jest obsługiwana Obsługa trybu uśpienia urządzenia: TakWydajność Odczyt sekwencyjny:

do 7250 MB/s * Wydajność może się różnić w zależności od konfiguracji sprzętowej i systemowej Zapis sekwencyjny: Do 6300 MB/s * Wydajność może się różnić w zależności od konfiguracji sprzętowej i systemowej Odczyt losowy (4KB, QD32): do 1 050 000 IOPS * Wydajność może się różnić w zależności od konfiguracji sprzętowej i systemowej Losowy zapis (4KB, QD32): do 1 400 000 IOPS * Wydajność może się różnić w zależności od konfiguracji sprzętowej i systemowejŚrodowisko Średni pobór mocy (na poziomie systemu): * Średnio: 5,5 W przy odczycie / 4,8 W przy zapisie * Rzeczywisty pobór mocy może się różnić w zależności od konfiguracji sprzętu i systemu Pobór mocy (bezczynność):

typowo 60 mW * Rzeczywisty pobór mocy może się różnić w zależności od konfiguracji sprzętu i systemu Pobór mocy (uśpienie urządzenia): typowo 5 mW * Rzeczywisty pobór mocy może się różnić w zależności od konfiguracji sprzętu i systemu Dopuszczalne napięcie: 3,3 V ± 5% Dopuszczalne napięcie Niezawodność (MTBF): 1,5 miliona godzin niezawodności (MTBF) Temperatura pracy: 0-70°C Wstrząsy:

1500 G i 0,5 ms (pół sinusa) Zestaw instalacyjny: NieOprogramowanie Oprogramowanie do zarządzania: SSD Management Software Magician Przyspiesz swój dzień Wykonuj swoje zadania w mgnieniu oka. 990 EVO Plus z najnowszą pamięcią flash NAND oferuje sekwencyjne prędkości odczytu/zapisu do 7 250/6 300 MB/s. Szybko przesyłaj duże pliki.

Przez cały dzień z chłodną mocą Wysoka wydajność dla wysokiej wydajności. Pokryty niklem kontroler zwiększa MB/s na wat nawet o 73% w porównaniu do 990 EVO i osiąga taką samą wydajność i kontrolę termiczną przy mniejszym zużyciu energii. Skoncentruj się na pracy lub grach, nie martwiąc się o przegrzanie lub żywotność baterii. Dużo miejsca. Duża prędkość.

Wykorzystaj pełną moc swojego dysku dzięki inteligentnemu TurboWrite 2. 0. Szybko przetwarzaj duże ilości danych i obsługuj wymagającą grafikę dzięki dużemu obszarowi TurboWrite, teraz dostępnemu w pojemnościach do 4 TB. Oprogramowanie Samsung Magician Nowoczesne zarządzanie dyskami jak za dotknięciem czarodziejskiej różdżki - dzięki oprogramowaniu Samsung Magician. To przyjazne dla użytkownika oprogramowanie pomoże ci mieć oko na dysk SSD przez cały czas. Umożliwia ono aktualizowanie dysku, monitorowanie parametrów stanu i prędkości, a także dostosowywanie wydajności.

Zaleca się, aby zawsze aktualizować oprogramowanie sprzętowe dysków SSD Samsung do najnowszej wersji. Ożywianie nowoczesnej technologii Od dziesięcioleci pamięć flash NAND firmy Samsung jest motorem napędowym nowoczesnych technologii, które zmieniły nasze codzienne życie. Technologia NAND flash napędza nasze dyski SSD i robi miejsce dla kolejnego impulsu nowoczesnej technologii. Wydajność Prędkość odczytu sekwencyjnego do 7250 MB/s. Do 45% szybciej niż 990 EVO.

Efektywność energetyczna Do 73% wyższa efektywność energetyczna w porównaniu do 990 EVO dla większej liczby MB/s na wat przy stałej wydajności i kontroli termicznej. Wszechstronność Wysoka pojemność do 4 TB i szybki inteligentny TurboWrite 2. 0 z powiększonym obszarem TurboWrite. OgólneTyp urządzeniaDysk półprzewodnikowy - wewnętrznyPojemność4 TBSzyfrowanie sprzętoweTakAlgorytm szyfrowania256-bitowy AESTyp pamięci flash NANDTLC (Triple-Level Cell)Współczynnik kształtuM. 2 2280Typ interfejsuPCIe 5.

0 x2 (NVMe)CechyInteligentna technologia TurboWrite, technologia Samsung V-NAND TLC, obsługa uśpienia urządzenia, bufor pamięci hosta (HMB), obsługa TRIM, algorytm automatycznego zbierania śmieci, S. M. A. R. T. , IEEE 1667Szerokość22. 15 mmGłębokość80. głębokość 15 mmWysokość2. 38 mmWaga9 gWydajnośćWewnętrzna przepustowość danych7250 MBps (odczyt)/ 6300 MBps (zapis)Maksymalny losowy zapis 4 KB1400000 IOPSMaksymalny losowy odczyt 4 KB1050000 IOPSNiezawodnośćMTBF1.

500 000 godzinRozbudowa i łącznośćKompatybilny panel przełącznikówM. 2 2280ZasilaniePobór mocy5. 5 W (odczyt) 4,8 W (zapis) 60 mW (tryb gotowości) 5 mW (tryb uśpienia)Oprogramowanie i wymagania systemoweDołączone oprogramowanieOprogramowanie Samsung MagicianRóżneMateriał obudowyNiklowanieWymiary i waga (transport)Szerokość transportowa9. 9 cmGłębokość transportowa2. 29 cmWysokość transportowa14.

2 cmSerwis i wsparcieWarunki środowiskoweMinimalna temperatura pracy0 °CMaks. Maks. temperatura pracy70 °CMin. temperatura przechowywania-40 °CMaks. Temperatura przechowywania85 °CDopuszczalna wilgotność podczas pracy5 - 95% (bez kondensacji)Tolerancja na wstrząsy (nie podczas pracy)1500 g przy 0,5 msTolerancja na wibracje (nie podczas pracy)20 g @ 20-2000 Hz Funkcje Interfejs: PCI Express 4 0 Obsługiwane algorytmy zabezpieczeń :

256-bitowy AES Średni czas między awariami (MTBF) : 1500000 h Typ pamięci : V-NAND TLC Prędkość odczytu : 7150 MB/s Prędkość zapisu : 6300 MB/s Pojemność dysku SSD :

4 TB Obsługa funkcji S. M. A. R. T. : Tak Obsługa TRIM : Tak Losowy zapis (4KB) : 1350000 IOPS Odczyt losowy (4KB) : 850000 IOPS Komponent dla :

PC Szyfrowanie sprzętowe : Tak Format dysku SSD : M 2 NVMe : Tak Wersja NVMe : 2 0 Rozmiar dysku SSD M. 2 : 2280 (22 x 80 mm) Waga i wymiary Waga :

9 g Wysokość : 22,1 mm Szerokość : 80,2 mm Głębokość : 2,38 mm Warunki pracy Temperatura pracy : 0 - 70 °C Spektakularna prędkość każdego dnia Szybsze kończenie listy rzeczy do zrobienia.

990 EVO Plus z najnowszą pamięcią NAND oferuje jeszcze lepsze prędkości sekwencyjnego odczytu/zapisu do 7250/6300 MB/s. Super duże pliki, bezpośredni transfer. Wystarczające chłodzenie na cały dzień Zwiększona wydajność, większa wydajność. Niklowany kontroler zapewnia o 73% więcej MB/s na wat i oferuje ten sam poziom wydajności i kontroli termicznej przy mniejszym zużyciu energii. Koniec z przegrzewaniem i martwieniem się o rozładowaną baterię.

Możesz skupić się na pracy lub zabawie. Dodatkowa przestrzeń. Wykorzystaj pełną moc swojego dysku twardego dzięki ulepszonemu inteligentnemu Turbowrite 2. 0. Szybsze przetwarzanie dużych ilości danych i ładowanie ciężkich grafik dzięki większej przestrzeni dla Turbowrite. Teraz o pojemności nie mniejszej niż 4 TB zapewniając ten sam poziom mocy i kontroli termicznej przy niższym zużyciu energii.

Teraz nie będziesz już mieć problemów z przegrzewaniem lub ładowaniem baterii podczas pracy lub grania. Więcej miejsca. Maksymalna prędkość. Uzyskaj maksymalną moc dzięki najnowszej technologii Intelligent TurboWrite 2. 0. Szybsze przetwarzanie dużych ilości danych i płynne przetwarzanie większości grafik dzięki większemu obszarowi TurboWrite Komponent dla:

PCCechyWersja NVMe2. 0Obsługiwane algorytmy zabezpieczeń256-bitowy AESPojemność dysku SSD4 TBRozmiar dysku SSDM. 2InterfejsPCI Express 4. 0NVMeTakTyp pamięciV-NAND TLCKomponent dlaPCszyfrowanie sprzętoweTakWymiary dysku SSD M. 22280 (22 x 80 mm)Prędkość odczytu7150 MB/sPrędkość zapisu6300 MB/sOdczyt losowy (4KB)850000 IOPS (operacji wejścia/wyjścia na sekundę)Losowy zapis (4KB)1350000 IOPS (operacje wejścia/wyjścia na sekundę)Obsługa S.

M. A. R. T. TakObsługa TRIMTakŚredni czas między awariami (MTBF)1500000 hWymiary i wagaSzerokość80 z pojemnością 4 TB. Oprogramowanie Samsung MagicianNiech Twój dysk SSD działa jak magia. Narzędzia optymalizacyjne oprogramowania Samsung Magician zapewniają maksymalną wydajność dysku SSD. To bezpieczny i łatwy sposób na migrację wszystkich danych w celu uaktualnienia dysku SSD Samsung. Chroń ważne dane do 7 250/6 300 MB/s.

Natychmiastowy transfer nawet najcięższych plików. Zasilanie przez cały dzieńZoptymalizowana wydajność dla dłuższej żywotności. Pokryty niklem kontroler zwiększa MB/s na wat o 73% zapewniając optymalną wydajność i skuteczną kontrolę termiczną. WszechstronnośćDo 4 TB rozszerzonej pojemności i cała szybkość technologii Intelligent TurboWrite 2. 0 z większym obszarem TurboWrite.

Spektakularna prędkość każdego dnia Wykonaj wszystkie zadania w mgnieniu oka. Dzięki pamięci NAND najnowszej generacji Cechy Komponent dla: PCRead Odczytlosowy(4KB): 850000IOPrędkość odczytu: 7150 MB/sInterfejs:

PCI Express 4. 0WersjaNVMe: 2. 0 i Zapis: 10B: 130R IOPObsługaTRIM: TakPrędkość zapisu: 6300MB/sTyp pamięci:

V-NAND TLCNVMe: TakRozmiarM. 2SSD: 2280 (22 x 80 mm)Pojemność SSD: 4 TBBity: 25 AESSecuritySmartSupport: TakSzyfrowaniesprzętowe:

TakFormatSSD: M. 2Średniczas między awariami (MTBF): 1500000 h Warunki pracy Temperatura pracy (0 - 0TT) °C Waga i wymiary Waga: 9 gGłębokość: 2,38 mmSzerokość:

80,2 mmWysokość: 22,1 mm Specyfikacja produktu: Pojemność: 4 TBRozmiar: M. 2Interfejs: PCI Express 4.

0Nr producenta: MZ-V9S4T0BW śledzić stan napędu i otrzymywać najnowsze aktualizacje oprogramowania sprzętowego. pomysły w życieOd dziesięcioleci Spektakularna prędkość każdego dniaWykonuj wszystkie zadania w mgnieniu oka. Dzięki najnowocześniejszej pamięci NAND aby utorować drogę do kolejnej rewolucji w erze innowacji. WydajnośćSekwencyjna prędkość odczytu do 7 250 MB/s 45% wyższa niż w poprzednim modelu.

Wydajność energetyczna poprawiona o 73% dla większej liczby MB/s na wat 2 mmGłębokość2 38 mmWysokość22 1 mmWaga9 gWarunki środowiskoweZakres temperatur pracy0 - 70 °C pamięć flash NAND firmy Samsung stanowi podstawę technologii i innowacji, które zrewolucjonizowały nasze codzienne życie we wszystkich aspektach. Technologia NAND flash jest również zintegrowana w naszych dyskach SSD Szybsze wykonywanie zadań. 990 EVO Plus z najnowszą pamięcią NAND oferuje ulepszone prędkości sekwencyjnego odczytu/zapisu do 7250/6300 MB/s. Ogromne pliki są przesyłane błyskawicznie. Cechy Świeża moc przez cały okres użytkowania.

. . Rozmiar dysku SSD: M. 2 990 EVO Plus zapewnia bezkonkurencyjną prędkość sekwencyjnego odczytu/zapisu danych Prędkość odczytu: 7150 MB/s Prędkość zapisu: 6300 MB/s Samsung 990 EVO Plus SSD 4TB M. 2 PCIe Gen4/Gen5 NVMe Wewnętrzny moduł półprzewodnikowy Samsung 990 EVO Plus MZ-V9S2T0 - SSD - szyfrowany - 4 TB - wewnętrzny - M.

2 2280 - PCIe 5. 0 x2 (NVMe) - 256-bit AES - TCG Opal Encryption 2. 0